霍尔效应测试

霍尔效应测试系统HEMS

霍尔效应测试系统HEMS

适用范围: GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 红外应用(LED, laser diodes, detectors), 金属氧化物, 有机材料, 无机材料, 铁氧体等。

主要技术指标

Measurements Include:

•迁移率测试

•DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs

•AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs

•载流子浓度测试

•电阻率测试

•电阻测量

•Low resistance range 1uohm to 1Mohm

•Wide resistange range 1uohm to 100Gohm

•High resistance range 1ohm to 100Gohm

•范德堡法测试范

•霍尔巴法测试

Pole Caps:

•可更换极帽

•标准25mm

•在0-130mm间距连续可调

•更大极帽直径可选,50mm,75mm

Electromagnet:

•±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface

•±35V, ±70A电源

•Magneticfield>±IT@25mmpolegap

•线圈电阻: 0.5 Ω (20°C)

•水冷

Temperature option:

•低温 3K-300K

•高温300K-1273K

NanoMagnetics Gaussmeter:

•磁场扫描采用集成高斯计

•磁场校准采用霍尔探头

•高灵敏度的磁场测量

•所有参数可通过软件控制

Sample Holders:

•4,6 or8范德堡或霍尔巴测试设计

•易于样品安装与弹簧连接

•5mmx5mm样品大小(提供更大选件)

•多个样品安装

Controller & Software

•使用我们软件可逐层的进行迁移率分析

•基于C# 的全自动软件分析

非常宽的温度测试范围,3-1,300K

•采用高斯计进行磁场的控制

•非常容易的进行范德堡霍尔巴方法样品测试

•提供软件终生升级

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贤俊机械

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